近日，理学院物理系上海市高温超导重点实验室博士生陈攀、高灿飞（共同一作）、吴文俊（共同一作）与合作者在《Journal of Colloid and Interface Science》（中科院一区TOP期刊）上发表题为 “Charge transfer tunneling contacts for n-type monolayer semiconductor towards high performance electronics” 的研究论文。文章的合作者有：18k娱乐（集团）理学院物理系尹鑫茂教授、邢凯健副教授、金腾宇博士、微电子学院李梦娇教授等。18k娱乐（集团）理学院物理系为第一完成单位和通讯单位。
针对未来下一代低功耗集成电路核心材料，单层过渡金属硫化物中长期存在的界面费米能级钉扎与高接触电阻这一行业共性瓶颈，本工作突破传统接触模式，提出了一种基于电荷转移调控的隧穿接触全新策略。该策略在完美保留二维半导体本征物理特性的前提下，攻克了无损构筑低势垒欧姆接触的关键科学难题，显著提升了载流子注入效率，为推动高性能二维半导体器件迈向实际应用提供了重要的理论基础与创新范式。
本工作得到国家自然科学基金、上海市相关科研计划以及18k娱乐（集团）理学院量子材料新物态与器件创新研究团队平台的支持。近年来，量子材料新物态与器件创新研究团队面向量子材料基础物性与新型器件应用中的关键问题，建设了涵盖材料制备、微纳加工、低温输运、光谱表征和理论分析的综合研究平台，为探索新材料、新物态及其功能器件提供了有力支撑。
依托这一平台，尹鑫茂教授与邢凯健副教授课题组长期围绕二维半导体及相关异质结构中的接触物理、界面电荷转移和载流子输运机制开展研究，致力于建立材料电子结构与器件性能之间的内在联系。本研究提出的电荷转移隧穿接触策略，正是课题组在二维半导体界面工程方向上的重要进展之一。未来，课题组将继续结合精密物性表征与微纳器件构筑，发展面向高性能、低功耗电子器件的新型界面调控方法。
论文链接：https://doi.org/10.1016/j.jcis.2026.141051
